Производитель Номер продукта:
DMTH4M70SPGW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH4M70SPGW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Подробное описание:
N-Channel 40 V 460A (Tc) 5.6W (Ta), 428W (Tc) Surface Mount PowerDI8080-5
Инвентаризация:
13000873
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
e0z2
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH4M70SPGW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
460A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10053 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI8080-5
Упаковка / Чехол
SOT-1235
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMTH4M70SPGW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMTH4M70SPGWQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2845
Номер части
DMTH4M70SPGWQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.67
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M