Производитель Номер продукта:
DMTH6004SPSQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH6004SPSQ-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.1W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889511
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH6004SPSQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4556 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH6004
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH6004SPSQ-13TR
DMTH6004SPSQ-13DICT-DG
31-DMTH6004SPSQ-13CT
DMTH6004SPSQ-13DITR-DG
DMTH6004SPSQ-13DITR
DMTH6004SPSQ-13DICT
DMTH6004SPSQ-13DIDKR-DG
DMTH6004SPSQ-13DIDKR
31-DMTH6004SPSQ-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
