DMTH6009LK3-13
Производитель Номер продукта:

DMTH6009LK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH6009LK3-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Подробное описание:
N-Channel 60 V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252-3

Инвентаризация:

7168 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12883444
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH6009LK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.2A (Ta), 59A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMTH6009

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMTH6009LK3-13DITR
DMTH6009LK3-13DIDKR
DMTH6009LK3-13DICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMPH4025SFVWQ-7

MOSFET P-CH 40V PWRDI3333

diodes

DMN6040SK3-13

MOSFET N CH 60V 20A TO252

diodes

DMN4036LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

diodes

DMN2400UFB-7

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN