Производитель Номер продукта:
DMTH6012LPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH6012LPSW-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Подробное описание:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Инвентаризация:
13270045
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH6012LPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
785 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type Q)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH6012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH6012LPSW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8