Производитель Номер продукта:
DMTH6016LPDQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH6016LPDQ-13-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
77 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884129
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH6016LPDQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
864pF @ 30V
Мощность - Макс
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Базовый номер продукта
DMTH6016
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH6016LPDQ-13CT
DMTH6016LPDQ-13-DG
31-DMTH6016LPDQ-13TR
31-DMTH6016LPDQ-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMC2710UV-13
MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
DMT6018LDR-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
DMN5L06VK-7-G
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
