Производитель Номер продукта:
DMTH61M8SPSQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH61M8SPSQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Подробное описание:
N-Channel 60 V 215A (Tc) 3.2W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Инвентаризация:
12978687
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH61M8SPSQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
215A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8306 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type K)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH61M8SPSQ-13TR
31-DMTH61M8SPSQ-13CT
31-DMTH61M8SPSQ-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMTH61M8SPS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMTH61M8SPS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMTH4014SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMT6006LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
