Производитель Номер продукта:
DMTH8008LFGQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH8008LFGQ-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
4000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978535
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH8008LFGQ-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMTH8008LFGQ-7DKR
31-DMTH8008LFGQ-7CT
31-DMTH8008LFGQ-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3060LW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
DMP65H13D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
2SK3357-A
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
