DMTH8012LK3-13
Производитель Номер продукта:

DMTH8012LK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH8012LK3-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Подробное описание:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Инвентаризация:

1630 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12896544
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH8012LK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMTH8012

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMTH8012LK3-13DICT
DMTH8012LK3-13DITR
31-DMTH8012LK3-13DKR
DMTH8012LK3-13DI-DG
31-DMTH8012LK3-13CT
31-DMTH8012LK3-13TR
DMTH8012LK3-13DI
DMTH8012LK3-13DIDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRLR3110ZTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20611
Номер части
IRLR3110ZTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.73
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60N10S412ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5842
Номер части
IPD60N10S412ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.68
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMNH6012LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

taiwan-semiconductor

TSM2328CX RFG

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM7P06CP ROG

MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

diodes

DMP2038USS-13

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO