Производитель Номер продукта:
DMTH8012LPSQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH8012LPSQ-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
5403 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12901817
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH8012LPSQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 72A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2051 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH8012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMTH8012LPSQ-13DICT
DMTH8012LPSQ-13DITR
DMTH8012LPSQ-13-DG
DMTH8012LPSQ-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDH832P
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
IXTC26N50P
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
