DMTH83M2SPSW-13
Производитель Номер продукта:

DMTH83M2SPSW-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH83M2SPSW-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Подробное описание:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 4.1W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Инвентаризация:

13242586
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH83M2SPSW-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5466 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.1W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH83M2SPSW-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP3006LPSW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

diodes

DMP3025SFDF-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMPH4026SFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH63M6LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506