Производитель Номер продукта:
DMWSH120H90SM4Q
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMWSH120H90SM4Q-DG
Описание:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-247-4
Инвентаризация:
47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000679
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMWSH120H90SM4Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
97.5mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47.6 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+19V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1112 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
235W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
31-DMWSH120H90SM4Q
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMN2310UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMT32M4LFG-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
