DNLS350E-13
Производитель Номер продукта:

DNLS350E-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DNLS350E-13-DG

Описание:

TRANS NPN 50V 3A SOT223-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 100MHz 1 W Surface Mount SOT-223-3

Инвентаризация:

40075 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12895828
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
jthc
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DNLS350E-13 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
290mV @ 200mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Комплект устройства поставщика
SOT-223-3
Базовый номер продукта
DNLS350

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DNLS350EDIDKR
DNLS350E-13-DG
DNLS350E13
DNLS350EDICT
DNLS350EDITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DSS2515M-7B

TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN

taiwan-semiconductor

BC546A B1G

TRANS NPN 65V 0.1A TO92

taiwan-semiconductor

TSC741CZ C0G

TRANS NPN 450V 2.5A TO220

taiwan-semiconductor

BC337-16 B1G

TRANS NPN 45V 0.8A TO92