Производитель Номер продукта:
DXTN3C100PDQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DXTN3C100PDQ-13-DG
Описание:
SS Low Sat Transistor PowerDI506
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 130MHz 1.47W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type UXD)
Инвентаризация:
1480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12992721
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DXTN3C100PDQ-13 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
330mV @ 300mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 10V
Мощность - Макс
1.47W
Частота - переход
130MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Базовый номер продукта
DXTN3C100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DXTN3C100PDQ-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC846SHF
TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP
BCM856BSH-QF
BCM856BSH-QF
DXTP3C100PDQ-13
SS Low Sat Transistor PowerDI506
