Производитель Номер продукта:
DXTN5860DFDB-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DXTN5860DFDB-7-DG
Описание:
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 115MHz 690 mW Surface Mount U-DFN2020-3 (Type B)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978846
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DXTN5860DFDB-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
6 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
315mV @ 300mA, 6A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
280 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
690 mW
Частота - переход
115MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-UDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-3 (Type B)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DXTN5860DFDB-7CT
31-DXTN5860DFDB-7DKR
31-DXTN5860DFDB-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BCX5316QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&
DXTN22040DFG-7
PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
ZTX653QSTZ
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO