Производитель Номер продукта:
HBDM60V600W-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
HBDM60V600W-7-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Инвентаризация:
12888560
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HBDM60V600W-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500mA, 600mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
65V, 60V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
200mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
HBDM60V600
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
MMDT2227-TP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Micro Commercial Co
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
MMDT2227-TP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC847BS-7-F
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
DST3946DPJ-7
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
DST3906DJ-7
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963
