MJD41CQ-13
Производитель Номер продукта:

MJD41CQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

MJD41CQ-13-DG

Описание:

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.5 W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

2475 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12995548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MJD41CQ-13 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
6 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 600mA, 6A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 4V
Мощность - Макс
1.5 W
Частота - переход
3MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Базовый номер продукта
MJD41

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
MJD41CQ-13
HTML Спецификация
MJD41CQ-13-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-MJD41CQ-13DKR
31-MJD41CQ-13TR
31-MJD41CQ-13CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
diodes

MJD42CQ-13

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252

nexperia

BC807-25-QVL

TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB

micro-commercial-components

BC807-40W-TP

Interface

nexperia

BC807-40-QVL

TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB