Производитель Номер продукта:
MMBT5551Q-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
MMBT5551Q-7-DG
Описание:
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
5820 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000400
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMBT5551Q-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
160 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
200mV @ 5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Мощность - Макс
300 mW
Частота - переход
300MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-MMBT5551Q-7TR
31-MMBT5551Q-7CT
31-MMBT5551Q-7DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC847CW
SOT-323, 50V, 0.1A, NPN BIPOLAR
FZT753QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
ZTX455QSTZ
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
