Производитель Номер продукта:
MMBTH10-7-F
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
MMBTH10-7-F-DG
Описание:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Подробное описание:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
26224 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12887116
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMBTH10-7-F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Биполярные радиочастотные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
25V
Частота - переход
650MHz
Коэффициент шума (дБ Typ @ f)
-
Прибыль
-
Мощность - Макс
300mW
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
50mA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Базовый номер продукта
MMBTH10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
MMBTH10-FDIDKR
MMBTH10-FDICT
MMBTH107F
MMBTH10-FDITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FMMT918TA
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
BFS17NTA
RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
MT4S300U(TE85L,O,F
X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
