Производитель Номер продукта:
ZXM62P02E6TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXM62P02E6TA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Инвентаризация:
74480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949516
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXM62P02E6TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
320 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
ZXM62P02
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
ZXM62P02E6DKR
ZXM62P02E6CT
ZXM62P02E6TR
ZXM62P02E6TR-NDR
ZXM62P02E6
ZXM62P02E6CT-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN4036LK3-13
MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
