Производитель Номер продукта:
ZXM62P03E6TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXM62P03E6TA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Подробное описание:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-26
Инвентаризация:
2795 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12904893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXM62P03E6TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
625mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-26
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
ZXM62P03
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-ZXM62P03E6TATR
ZXM62P03E6DKR-DG
Q2099370
ZXM62P03E6DKRINACTIVE
ZXM62P03E6CT-DG
ZXM62P03E6TR-DG
ZXM62P03E6
ZXM62P03E6TR
31-ZXM62P03E6TADKR
ZXM62P03E6DKR
ZXM62P03E6TR-NDL
ZXM62P03E6CT-NDR
31-ZXM62P03E6TACT
ZXM62P03E6TR-NDR
ZXM62P03E6CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
VN10LPSTZ
MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
ZVN4310A
MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
IRFI9620GPBF
MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
