Производитель Номер продукта:
ZXM66P02N8TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXM66P02N8TA-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12904125
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXM66P02N8TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2068 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
ZXM66P02N8TR-NDR
ZXM66P02N8DKR
ZXM66P02N8CT
ZXM66P02N8TR
ZXM66P02N8CT-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMP2022LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37400
Номер части
DMP2022LSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDS6375
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2121
Номер части
FDS6375-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVN2120GTC
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
VN10LFTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
ZVP2120GTC
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
