Производитель Номер продукта:
ZXMN10B08E6TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMN10B08E6TA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Инвентаризация:
5553 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12902468
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMN10B08E6TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
497 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-26
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
ZXMN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
ZXMN10B08E6CT
ZXMN10B08E6CT-NDR
ZXMN10B08E6TR
ZXMN10B08E6TR-NDR
ZXMN10B08E6DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZXMN4A06KTC
MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
DMG4406LSS-13
MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
