ZXMN20B28KTC
Производитель Номер продукта:

ZXMN20B28KTC

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

ZXMN20B28KTC-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Инвентаризация:

3100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12951739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ZXMN20B28KTC Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.1 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
358 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
ZXMN20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
ZXMN20B28KTCTR
ZXMN20B28KTCCT
ZXMN20B28KTCDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF710

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

diodes

DMN6013LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

vishay-siliconix

SIB414DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SUP60N06-12P-E3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB