Производитель Номер продукта:
ZXMN2A02X8TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMN2A02X8TA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Инвентаризация:
12906458
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMN2A02X8TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
1034-ZXMN2A02X8CT
ZXMN2A02X8CT
1034-ZXMN2A02X8DKR
ZXMN2A02X8TR
ZXMN2A02X8CT-NDR
ZXMN2A02X8TR-NDR
ZXMN2A02X8DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO247
IRFBC40SPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IXFH24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD