ZXMN2F34MATA
Производитель Номер продукта:

ZXMN2F34MATA

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

ZXMN2F34MATA-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Подробное описание:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322

Инвентаризация:

12887725
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ZXMN2F34MATA Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
277 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.35W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN322
Упаковка / Чехол
3-PowerVDFN

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN10H170SVTQ-7

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

diodes

ZVN2110ASTOA

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

diodes

DMN3030LFG-7

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8

diodes

ZVP2110ASTOA

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE