Производитель Номер продукта:
ZXMN3A03E6TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMN3A03E6TA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Инвентаризация:
38939 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12887124
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMN3A03E6TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
ZXMN3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-ZXMN3A03E6TATR
ZXMN3A03E6DKRINACTIVE
ZXMN3A03E6TR
31-ZXMN3A03E6TACT
31-ZXMN3A03E6TADKR
ZXMN3A03E6CT
ZXMN3A03E6DKR
ZXMN3A03E6TR-NDR
ZXMN3A03E6CT-DG
ZXMN3A03E6TR-DG
ZXMN3A03E6DKR-DG
ZXMN3A03E6CT-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVP3310A
MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
ZXMN6A09KQTC
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
