Производитель Номер продукта:
ZXMN6A09GTA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMN6A09GTA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 60 V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Инвентаризация:
440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12906303
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMN6A09GTA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24.2 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1407 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-3
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
ZXMN6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
ZXMN6A09GTR
ZXMN6A09GDKR
ZXMN6A09GCT
ZXMN6A09GDKRINACTIVE
ZXMN6A09GDKR-DG
ZXMN6A09GCT-NDR
ZXMN6A09GTR-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STN3NF06L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11330
Номер части
STN3NF06L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.35
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVP3306FTC
MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
IRF644SPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
