Производитель Номер продукта:
ZXMN6A11DN8TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMN6A11DN8TA-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
4519 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905042
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMN6A11DN8TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330pF @ 40V
Мощность - Макс
1.8W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
ZXMN6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
ZXMN6A11DN8DKRINACTIVE
ZXMN6A11DN8DKR-DG
ZXMN6A11DN8CT-NDR
ZXMN6A11DN8TR-NDR
ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8CT
ZXMN6A11DN8DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
BSS138DW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO