Производитель Номер продукта:
ZXMNS3BM832TA
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZXMNS3BM832TA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3x2)
Инвентаризация:
12886372
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZXMNS3BM832TA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
314 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MLP (3x2)
Упаковка / Чехол
8-VDFN Exposed Pad
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-DG
ZXMNS3BM832DKR
ZXMNS3BM832TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN4525GTC
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
