PJT7808_R2_00001
Производитель Номер продукта:

PJT7808_R2_00001

Product Overview

Производитель:

EMO Inc.

Номер детали:

PJT7808_R2_00001-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Инвентаризация:

13001212
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJT7808_R2_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
EMO Systems
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
67pF @ 10V
Мощность - Макс
350mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
PJT7808

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
3757-PJT7808_R2_00001TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

MSCSM120HM063AG

SIC 4N-CH 1200V 333A

diotec-semiconductor

MMFT8472DW

MOSFET SOT-363 N+P 50V 0.115A 10

goford-semiconductor

G180N06S2

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP

microchip-technology

MSCSM120HM083AG

SIC 4N-CH 1200V 251A