EPC7003AC
Производитель Номер продукта:

EPC7003AC

Product Overview

Производитель:

EPC Space, LLC

Номер детали:

EPC7003AC-DG

Описание:

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Инвентаризация:

144 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002661
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

EPC7003AC Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC Space
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1.4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
168 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-SMD
Упаковка / Чехол
4-SMD, No Lead

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
4107-EPC7003A
4107-EPC7003A-DG
EPC7003A
4107-EPC7003AC

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN2710UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K824R,LF

N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03

vishay-siliconix

SIHP074N65E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

vishay-siliconix

SQS181ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)