Производитель Номер продукта:
FBG10N05AC
Product Overview
Производитель:
EPC Space, LLC
Номер детали:
FBG10N05AC-DG
Описание:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Подробное описание:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Инвентаризация:
64 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997446
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FBG10N05AC Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC Space
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
233 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-SMD
Упаковка / Чехол
4-SMD, No Lead
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
169
Другие названия
4107-FBG10N05AC
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK