Производитель Номер продукта:
FBG20N18BC
Product Overview
Производитель:
EPC Space, LLC
Номер детали:
FBG20N18BC-DG
Описание:
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Инвентаризация:
115 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997386
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FBG20N18BC Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC Space
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-SMD
Упаковка / Чехол
4-SMD, No Lead
Дополнительная информация
Стандартный пакет
154
Другие названия
4107-FBG20N18BC
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6524KNXC7G
650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
PJP12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
