Производитель Номер продукта:
EPC2030ENGRT
Product Overview
Производитель:
EPC
Номер детали:
EPC2030ENGRT-DG
Описание:
GANFET NCH 40V 31A DIE
Подробное описание:
N-Channel 40 V 31A (Ta) Surface Mount Die
Инвентаризация:
12817996
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EPC2030ENGRT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
-
Серия
eGaN®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
EPC20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
917-EPC2030ENGRDKR
917-EPC2030ENGRCT
917-EPC2030ENGRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R5011FNX
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
BSO613SPVGXUMA1
MOSFET P-CH 8-SOIC
IRFR5410TRR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
