Производитель Номер продукта:
EPC2035
Product Overview
Производитель:
EPC
Номер детали:
EPC2035-DG
Описание:
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Подробное описание:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) Surface Mount Die
Инвентаризация:
24905 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815553
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EPC2035 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
eGaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.15 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
115 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
EPC20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
917-1099-1
917-1099-2
917-1099-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
SI3134KL3-TP
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006-3
IRF3707Z
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB