EPC2049ENGRT
Производитель Номер продукта:

EPC2049ENGRT

Product Overview

Производитель:

EPC

Номер детали:

EPC2049ENGRT-DG

Описание:

GANFET N-CH 40V 16A DIE
Подробное описание:
N-Channel 40 V 16A (Ta) Surface Mount Die

Инвентаризация:

12802423
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

EPC2049ENGRT Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
-
Серия
eGaN®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
805 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
EPC20

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
917-EPC2049ENGRDKR
917-EPC2049ENGRCT
917-EPC2049ENGRTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSZ076N06NS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON

infineon-technologies

BSS308PEL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

infineon-technologies

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON

infineon-technologies

IPB80N06S2L11ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3