EPC2050
Производитель Номер продукта:

EPC2050

Product Overview

Производитель:

EPC

Номер детали:

EPC2050-DG

Описание:

TRANS GAN BUMPED DIE
Подробное описание:
N-Channel 350 V 6.3A (Ta) Surface Mount Die

Инвентаризация:

16280 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12795214
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

EPC2050 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
eGaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
628 pF @ 280 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
EPC20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
917-EPC2050TR
917-EPC2050DKR
EPC2050-DG
917-EPC2050CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
epc

EPC2010C

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

epc

EPC2202

GANFET N-CH 80V 18A DIE

epc

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

epc

EPC8010

GANFET N-CH 100V 4A DIE