Производитель Номер продукта:
EPC2106
Product Overview
Производитель:
EPC
Номер детали:
EPC2106-DG
Описание:
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 1.7A Surface Mount Die
Инвентаризация:
82724 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12795180
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EPC2106 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
eGaN®
Статус продукта
Active
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
75pF @ 50V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
Die
Комплект устройства поставщика
Die
Базовый номер продукта
EPC210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
917-1110-2
917-1110-1
917-1110-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2110
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE