FCD900N60Z
Производитель Номер продукта:

FCD900N60Z

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FCD900N60Z-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

1213 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946344
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
I6j4
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCD900N60Z Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
385
Другие названия
ONSONSFCD900N60Z
2156-FCD900N60Z

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPA60R280CFDD7

IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN

fairchild-semiconductor

FCP600N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FCP4N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK