Производитель Номер продукта:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FCH110N65F-F155-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
69 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946290
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCH110N65F-F155 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
FRFET®, SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
357W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
69
Другие названия
2156-FCH110N65F-F155
ONSFSCFCH110N65F-F155
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCH041N65EFL4
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
2SJ616-TD-E
2SJ616 - P CHANNEL MOSFET
BUK965R4-40E,118
TRANSISTOR >30MHZ
