Производитель Номер продукта:
FCH76N60N
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FCH76N60N-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Подробное описание:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
1603 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946133
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCH76N60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SupreMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12385 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
543W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20
Другие названия
2156-FCH76N60N
FAIFSCFCH76N60N
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9675-55A118
NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55
FCPF11N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SJ361RYTR-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
