Производитель Номер продукта:
FCP16N60N
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FCP16N60N-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
2766 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946069
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP16N60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SupreMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2170 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
134.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
93
Другие названия
2156-FCP16N60N
FAIFSCFCP16N60N
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
FCH47N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
