Производитель Номер продукта:
FCP9N60N
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FCP9N60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
33480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946212
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP9N60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
179
Другие названия
FAIFSCFCP9N60N
2156-FCP9N60N
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SJ356(0)-T1-AY
2SJ356 - SIGNAL DEVICE
IRFSL7730PBF
IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
