FCU2250N80Z
Производитель Номер продукта:

FCU2250N80Z

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FCU2250N80Z-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

Инвентаризация:

94795 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCU2250N80Z Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
585 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
385
Другие названия
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDB8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQPF19N10

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

nexperia

OP540/BD/C3,027

OP540/BD - CUSTOM MOSFET

international-rectifier

IRF8304MTRPBF

IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW