FCU3400N80Z
Производитель Номер продукта:

FCU3400N80Z

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FCU3400N80Z-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK

Инвентаризация:

1691 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946477
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCU3400N80Z Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
492
Другие названия
2156-FCU3400N80Z
ONSFSCFCU3400N80Z

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDD8451

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FDP8441

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F