Производитель Номер продукта:
FDB16AN08A0
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDB16AN08A0-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
714 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947010
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB16AN08A0 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1857 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
135W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
220
Другие названия
FAIFSCFDB16AN08A0
2156-FDB16AN08A0
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PH7730DL,115
PH7730DL - N-CHANNEL TRENCHMOS
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
FDD8896-F085
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
