FDB603AL
Производитель Номер продукта:

FDB603AL

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDB603AL-DG

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263AB

Инвентаризация:

39200 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12933377
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDB603AL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AB
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
247
Другие названия
2156-FDB603AL
FAIFSCFDB603AL

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDB7042L

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

HUF76129P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

texas-instruments

TPIC5621LDW

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76009P3

N-CHANNEL POWER MOSFET