Производитель Номер продукта:
FDC653N
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDC653N-DG
Описание:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Подробное описание:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентаризация:
2505 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946642
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDC653N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-6
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,192
Другие названия
FAIFSCFDC653N
2156-FDC653N
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDPF12N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8444
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8447L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
