Производитель Номер продукта:
FDD8782
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDD8782-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
157200 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946700
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD8782 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1220 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
588
Другие названия
2156-FDD8782
FAIFSCFDD8782
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP2N80
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FQI8N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
