Производитель Номер продукта:
FDD8874
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDD8874-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
12947408
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD8874 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 116A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2990 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
454
Другие названия
2156-FDD8874
FAIFSCFDD8874
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF75321P3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
PMN28UN,135
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
IRF7580MTRPBF
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW